性能突破性提升！我國(guó)攻克半導(dǎo)體材料世界難題！近日，西安電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)首創(chuàng)“離子注入誘導(dǎo)成核”技術(shù)，將原本隨機(jī)的晶體生長(zhǎng)過(guò)程轉(zhuǎn)為精準(zhǔn)可控的均勻生長(zhǎng)，成功將粗糙的“島狀”界面轉(zhuǎn)變?yōu)樵蛹?jí)平整的“薄膜”，實(shí)驗(yàn)顯示，新結(jié)構(gòu)界面熱阻僅為傳統(tǒng)的三分之一。使芯片散熱效率和器件性能獲得突破性提升。

基于該技術(shù)制備的氮化鎵微波功率器件，刷新輸出功率密度國(guó)際紀(jì)錄，最高提升40%。這意味著同樣芯片面積下，裝備探測(cè)距離可顯著增加，通信基站也能覆蓋更遠(yuǎn)、更節(jié)能。