繼今年4月，復旦大學周鵬-劉春森團隊于《自然》期刊發(fā)表迄今最快的二維閃存原型器件“破曉”后，10月8日，該團隊又發(fā)表了全球首顆二維-硅基混合架構閃存芯片“長纓（CY-01）”，標志著攻克新型二維信息器件工程化的關鍵難題。

今年4月，復旦大學團隊發(fā)表了全球首款基于二維半導體材料的閃存原型器件"破曉"，存儲速度比傳統(tǒng)閃存快100萬倍，但與硅材料納米級別的工藝相比，二維半導體厚度僅為1-3個原子，相當于不到1納米，制造工藝難度要求極高，如何實現其與現有硅基工藝平臺的集成，又不破壞其性能，成為該技術未來能否大規(guī)模應用的核心問題。

團隊前期經歷了5年的探索試錯，在單個器件、集成工藝等多點協(xié)同攻關，實現了在原子尺度上讓二維材料和CMOS襯底的緊密貼合，最終實現超過94%的芯片良率，遠超集成電路制造89%良品率的優(yōu)異線。

接下來，團隊計劃建立實驗基地，與相關機構合作，建立自主主導的工程化項目，并計劃用3-5年時間將項目集成到兆量級水平。